英特尔称明年下半年转向 3nm 芯片

据外媒报道，英特尔副总裁、负责技术研发的 Ann Kelleher 在近日的一场发布会上表示：“我们已完全走上了正轨”。Kelleher 透露，目前英特尔正在量产 7nm 制程，已准备好开始生产 4nm 制程芯片，计划明年下半年转向 3nm 制程芯片。

按照英特尔的规划，英特尔 3 nm 工艺将在 2023 年 H2 量产，再往后就是 2024 上半年的 20A 工艺，2024 年的 18A 工艺，等效 2nm、1.8nm 工艺，还会引入 RibbonFET 晶体管及 PowerVias 背面供电两种黑科技。

此前，英特尔 CEO 帕特・基辛格曾表示，人们长期以来一直怀疑摩尔定律的“寿命”，但“摩尔定律还将继续向前发展。“摩尔定律很有效，至少在未来的十年里依然有效”。

据其介绍，英特尔已经制定了在 4 年内交付 5 个节点的大胆计划。Intel 18A 制程 PDK 0.3 版本现在已经被早期设计客户采用，测试芯片正在设计中，将于年底流片。凭借 RibbonFET、PowerVia 两大突破性技术， High-NA 光刻机等先进技术，英特尔希望到 2030 年在一个芯片封装上可以有 1 万亿个晶体管。

“英特尔和英特尔代工服务将开创系统级代工的时代”，这一模式由四个主要部分组成：晶圆制造、封装、软件和开放的芯粒生态系统。“曾经被认为不可能实现的创新已经为芯片制造带来了全新可能”，帕特·基辛格表示。

在英特尔之外，包括三星、台积电在内的多家芯片厂商都在今年早些时候宣布转向 3nm 研发。

今年 6 月，三星宣布全球率先量产 3nm，在“2022 年半导体 EUV 全球生态系统会议”上，三星电子 Foundry 代工部门高级研究员朴炳宰表示，到 2026 年，全球 3 nm 工艺节点代工市场将达到 242 亿美元规模，较今年的 12 亿美元增长将超 20 倍。

台积电量产 3nm 经过一波三折后，年底终于逐渐步入正轨。根据台积电之前的消息，3nm 节点上至少有 5 代衍生版工艺，分别是 N3、N3P、N3S、N3X 及 N3E，其中 N3 工艺是最早量产的。对比 N5 工艺，N3 功耗可降低约 25-30％，性能可提升 10-15％，晶体管密度提升约 70％。